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SQ2362CES-T1_GE3
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 4.3A, SOT-23
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ2362CES-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rodo à Medida01AM5518
Segmento de fita01AM5518
Gama de produtosTrenchFET Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.700 | $ 3.50 |
| Total Preço | $ 3.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.700 |
| 10+ | $ 0.431 |
| 25+ | $ 0.379 |
| 50+ | $ 0.328 |
| 100+ | $ 0.276 |
| 250+ | $ 0.243 |
| 500+ | $ 0.209 |
| 1000+ | $ 0.187 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ2362CES-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rodo à Medida01AM5518
Segmento de fita01AM5518
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.068ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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