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SQ2303CES-T1_GE3
TRANSISTOR MOSFET
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ2303CES-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM3506RL
Segmento de fita22AM3506
Gama de produtosTrenchFET Series
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3,545 Em Estoque
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.577 | $ 2.88 |
| Total Preço | $ 2.88 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.577 |
| 10+ | $ 0.353 |
| 25+ | $ 0.310 |
| 50+ | $ 0.268 |
| 100+ | $ 0.225 |
| 250+ | $ 0.197 |
| 500+ | $ 0.168 |
| 1000+ | $ 0.150 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ2303CES-T1_GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida22AM3506RL
Segmento de fita22AM3506
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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