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SISS71DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -100V, -23A, POWERPAK1212
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS71DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK5737
Rodo à Medida99Y9655RL
Segmento de fita99Y9655
Gama de produtosThunderFET
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 42 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.020 | $ 2.02 |
| Total Preço | $ 2.02 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.020 |
| 50+ | $ 1.350 |
| 100+ | $ 0.948 |
| 250+ | $ 0.888 |
| 500+ | $ 0.745 |
| 1000+ | $ 0.684 |
| 2500+ | $ 0.663 |
| 5000+ | $ 0.642 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.084 |
| 4000+ | $ 0.077 |
| 6000+ | $ 0.075 |
| 10000+ | $ 0.074 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS71DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK5737
Rodo à Medida99Y9655RL
Segmento de fita99Y9655
Gama de produtosThunderFET
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.059ohm
On Resistance Rds(on)0.047ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd57W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.059ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
57W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
23A
On Resistance Rds(on)
0.047ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para SISS71DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto