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SISS65DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -94A, 150DEG C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS65DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo81AC3505
Rodo à Medida99AC9593
Segmento de fita99AC9593
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.120 | $ 2.12 |
| Total Preço | $ 2.12 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.120 |
| 10+ | $ 1.400 |
| 25+ | $ 1.260 |
| 50+ | $ 1.120 |
| 100+ | $ 0.984 |
| 250+ | $ 0.896 |
| 500+ | $ 0.806 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.656 |
| 10000+ | $ 0.617 |
| 20000+ | $ 0.585 |
| 30000+ | $ 0.555 |
| 50000+ | $ 0.537 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS65DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo81AC3505
Rodo à Medida99AC9593
Segmento de fita99AC9593
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id94A
Drain Source On State Resistance4600µohm
On Resistance Rds(on)0.0038ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd65.8W
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4600µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
94A
On Resistance Rds(on)
0.0038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
65.8W
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISS65DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos