Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS61DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo86AK6254
Rodo à Medida02AH2522
Segmento de fita02AH2522
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Seu número de peça
27,315 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.980 | $ 9.90 |
| Total Preço | $ 9.90 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.980 |
| 10+ | $ 1.320 |
| 25+ | $ 1.190 |
| 50+ | $ 1.060 |
| 100+ | $ 0.934 |
| 250+ | $ 0.853 |
| 500+ | $ 0.771 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.627 |
| 6000+ | $ 0.610 |
| 12000+ | $ 0.593 |
| 18000+ | $ 0.574 |
| 30000+ | $ 0.573 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS61DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo86AK6254
Rodo à Medida02AH2522
Segmento de fita02AH2522
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id111.9A
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation65.8W
Power Dissipation Pd65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
65.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
111.9A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation Pd
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISS61DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
