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SISS5708DN-T1-BE3
MOSFET, N-CH, 150V, 33.8A, POWERPAK 1212
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS5708DN-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK4718RL
Segmento de fita97AK4718
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.370 | $ 11.85 |
| Total Preço | $ 11.85 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.370 |
| 10+ | $ 1.730 |
| 25+ | $ 1.550 |
| 50+ | $ 1.370 |
| 100+ | $ 1.190 |
| 250+ | $ 1.080 |
| 500+ | $ 0.930 |
| 1000+ | $ 0.770 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS5708DN-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK4718RL
Segmento de fita97AK4718
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id33.8A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33.8A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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