Imprimir página
SISS54DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH/30V/185.6A/POWERPAK 1212-8S
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS54DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida37AJ9084RL
Segmento de fita37AJ9084
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
1,770 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.900 | $ 2.90 |
| Total Preço | $ 2.90 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.900 |
| 10+ | $ 1.970 |
| 25+ | $ 1.790 |
| 50+ | $ 1.610 |
| 100+ | $ 1.430 |
| 250+ | $ 1.310 |
| 500+ | $ 1.200 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS54DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida37AJ9084RL
Segmento de fita37AJ9084
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id185.6A
On Resistance Rds(on)880µohm
Drain Source On State Resistance1060µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd65.7W
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
880µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
65.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
185.6A
Drain Source On State Resistance
1060µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto