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SISS5208DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 172A, POWERPACK 1212
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS5208DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida85AK4800RL
Segmento de fita85AK4800
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.360 | $ 2.36 |
| Total Preço | $ 2.36 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.360 |
| 10+ | $ 1.570 |
| 25+ | $ 1.420 |
| 50+ | $ 1.260 |
| 100+ | $ 1.110 |
| 250+ | $ 1.020 |
| 500+ | $ 0.930 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS5208DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida85AK4800RL
Segmento de fita85AK4800
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id172A
Drain Source On State Resistance1300µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
172A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
1300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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