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SISS4410DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 36A, POWERPAK 1212-8S
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS4410DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79AK7542RL
Segmento de fita79AK7542
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.400 | $ 1.40 |
| Total Preço | $ 1.40 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.400 |
| 10+ | $ 0.916 |
| 25+ | $ 0.824 |
| 50+ | $ 0.731 |
| 100+ | $ 0.639 |
| 250+ | $ 0.579 |
| 500+ | $ 0.519 |
| 1000+ | $ 0.481 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS4410DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79AK7542RL
Segmento de fita79AK7542
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation19.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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