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SISS26LDN-T1-BE3
MOSFET, N-CH, 60V, 81.2A, POWERPAK1212S
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS26LDN-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark
Rodo à Medida18AM6888RL
Segmento de fita18AM6888
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.560 | $ 1.56 |
| Total Preço | $ 1.56 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.560 |
| 50+ | $ 1.340 |
| 100+ | $ 1.210 |
| 250+ | $ 1.110 |
| 500+ | $ 0.934 |
| 1000+ | $ 0.831 |
| 2500+ | $ 0.728 |
| 5000+ | $ 0.700 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS26LDN-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark
Rodo à Medida18AM6888RL
Segmento de fita18AM6888
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id81.2A
Drain Source On State Resistance4300µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
81.2A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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