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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.350 | $ 2.35 |
| Total Preço | $ 2.35 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.350 |
| 10+ | $ 1.490 |
| 25+ | $ 1.330 |
| 50+ | $ 1.160 |
| 100+ | $ 1.000 |
| 250+ | $ 0.907 |
| 500+ | $ 0.813 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.564 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS05DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo86AK6251
Rodo à Medida10AH0978
Segmento de fita10AH0978
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id108A
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd65.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
65.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
108A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SISS05DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto