Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISA35DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida54AH3777RL
Segmento de fita54AH3777
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Seu número de peça
5,070 Em Estoque
12,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.753 | $ 3.76 |
| Total Preço | $ 3.76 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.753 |
| 10+ | $ 0.666 |
| 25+ | $ 0.589 |
| 50+ | $ 0.499 |
| 100+ | $ 0.427 |
| 250+ | $ 0.366 |
| 500+ | $ 0.319 |
| 1000+ | $ 0.270 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISA35DN-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida54AH3777RL
Segmento de fita54AH3777
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd24W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation24W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
24W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para SISA35DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
