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SISA18BDN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 60A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISA18BDN-T1-GE3
Código Newark42AK5552
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.320 |
| 10+ | $ 0.863 |
| 25+ | $ 0.775 |
| 50+ | $ 0.687 |
| 100+ | $ 0.599 |
| 250+ | $ 0.542 |
| 500+ | $ 0.485 |
| 1000+ | $ 0.449 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.32
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISA18BDN-T1-GE3
Código Newark42AK5552
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance6830µohm
On Resistance Rds(on)0.0055ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation36.8W
Power Dissipation Pd36.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
6830µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
36.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.0055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
36.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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