Imprimir página
SIS890DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS890DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo86W6808
Rodo à Medida70AC6484
Segmento de fita70AC6484
Seu número de peça
3,000 Em Estoque
Precisa de mais?
Envio no mesmo dia
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.400 | $ 1.40 |
| Total Preço | $ 1.40 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.400 |
| 25+ | $ 1.160 |
| 50+ | $ 1.070 |
| 100+ | $ 0.976 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.636 |
| 4000+ | $ 0.571 |
| 6000+ | $ 0.551 |
| 10000+ | $ 0.539 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS890DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo86W6808
Rodo à Medida70AC6484
Segmento de fita70AC6484
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0235ohm
On Resistance Rds(on)0.0195ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd52W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The SIS890DN-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for telecom brick, primary side switch and synchronous rectification applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Capable of operating with 5V gate drive
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicações
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0235ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.0195ohm
Power Dissipation Pd
52W
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIS890DN-T1-GE3
3 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos