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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.320 | $ 1.32 |
| Total Preço | $ 1.32 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.320 |
| 10+ | $ 1.060 |
| 25+ | $ 0.984 |
| 50+ | $ 0.907 |
| 100+ | $ 0.822 |
| 500+ | $ 0.737 |
| 1000+ | $ 0.645 |
| 2500+ | $ 0.605 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS862ADN-T1-GE3
Código Newark
Rodo à Medida10AH0984
Segmento de fita10AH0984
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source On State Resistance7200µohm
On Resistance Rds(on)0.0057ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd39W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation39W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7200µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
On Resistance Rds(on)
0.0057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
39W
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SIS862ADN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos