Imprimir página
SIS447DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 18A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS447DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo67X6836
Rodo à Medida57AJ0414
Segmento de fita57AJ0414
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Seu número de peça
9,733 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.640 | $ 1.64 |
| Total Preço | $ 1.64 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.640 |
| 10+ | $ 1.040 |
| 25+ | $ 0.923 |
| 50+ | $ 0.806 |
| 100+ | $ 0.689 |
| 250+ | $ 0.615 |
| 500+ | $ 0.541 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 0.614 |
| 10000+ | $ 0.578 |
| 20000+ | $ 0.547 |
| 30000+ | $ 0.519 |
| 50000+ | $ 0.502 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS447DN-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo67X6836
Rodo à Medida57AJ0414
Segmento de fita57AJ0414
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Drain Source On State Resistance7100µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation52W
Power Dissipation Pd52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
7100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation Pd
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIS447DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos