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SIS435DNT-T1-GE3
P-CH THIN POWERPAK1212 BWL 20V 5.4MO
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS435DNT-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark11AN9245
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.420 |
| 50+ | $ 0.901 |
| 100+ | $ 0.603 |
| 250+ | $ 0.540 |
| 500+ | $ 0.476 |
| 1000+ | $ 0.434 |
| 2500+ | $ 0.425 |
| 5000+ | $ 0.417 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.42
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS435DNT-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark11AN9245
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0054ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation39W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para SIS435DNT-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos