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SIS415DNT-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 35A, POWERPAK 1212-8S ROHS COMPLIANT: YES
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS415DNT-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo67X6833
Rodo à Medida57AJ0412
Segmento de fita57AJ0412
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 37 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.020 | $ 2.02 |
| Total Preço | $ 2.02 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.020 |
| 10+ | $ 1.310 |
| 25+ | $ 1.170 |
| 50+ | $ 1.030 |
| 100+ | $ 0.897 |
| 250+ | $ 0.784 |
| 500+ | $ 0.670 |
| 1000+ | $ 0.622 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.536 |
| 5000+ | $ 0.526 |
| 10000+ | $ 0.495 |
| 20000+ | $ 0.469 |
| 30000+ | $ 0.445 |
| 50000+ | $ 0.431 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS415DNT-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo67X6833
Rodo à Medida57AJ0412
Segmento de fita57AJ0412
Gama de produtosTrenchFET Gen III
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance4000µohm
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd52W
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
4000µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIS415DNT-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos