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SIS184LDN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 69.4A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS184LDN-T1-GE3
Código Newark47AK4023
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.750 |
| 10+ | $ 1.860 |
| 25+ | $ 1.690 |
| 50+ | $ 1.520 |
| 100+ | $ 1.350 |
| 250+ | $ 1.240 |
| 500+ | $ 1.120 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.75
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS184LDN-T1-GE3
Código Newark47AK4023
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id69.4A
On Resistance Rds(on)0.0045ohm
Drain Source On State Resistance5400µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation52W
Power Dissipation Pd52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0045ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
69.4A
Drain Source On State Resistance
5400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos