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SIRS4600EPW-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 373A, POWERPAK SO-8SW
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRS4600EPW-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AM4567RL
Segmento de fita51AM4567
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.520 | $ 5.52 |
| Total Preço | $ 5.52 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.520 |
| 10+ | $ 5.230 |
| 25+ | $ 4.960 |
| 50+ | $ 4.610 |
| 100+ | $ 4.240 |
| 250+ | $ 3.780 |
| 500+ | $ 3.070 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRS4600EPW-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida51AM4567RL
Segmento de fita51AM4567
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id373A
Drain Source On State Resistance0.00115ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8SW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation333W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
373A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8SW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.00115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto