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SIRS4600DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 334A, POWERPAK SO-8S
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRS4600DP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79AK7536RL
Segmento de fita79AK7536
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.610 | $ 6.61 |
| Total Preço | $ 6.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.610 |
| 10+ | $ 4.640 |
| 25+ | $ 4.270 |
| 50+ | $ 3.900 |
| 100+ | $ 3.530 |
| 250+ | $ 3.370 |
| 500+ | $ 3.200 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRS4600DP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79AK7536RL
Segmento de fita79AK7536
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id334A
Drain Source On State Resistance1200µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation240W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
334A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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