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SIRA32DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 25V, 185A, POWERPAK SO-8S ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRA32DP-T1-RE3
Código Newark
Rolo completo20AC3865
Rodo à Medida80AK5271
Segmento de fita80AK5271
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.230 | $ 2.23 |
| Total Preço | $ 2.23 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.230 |
| 10+ | $ 1.490 |
| 25+ | $ 1.350 |
| 50+ | $ 1.200 |
| 100+ | $ 1.060 |
| 250+ | $ 0.968 |
| 500+ | $ 0.877 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.727 |
| 10000+ | $ 0.715 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIRA32DP-T1-RE3
Código Newark
Rolo completo20AC3865
Rodo à Medida80AK5271
Segmento de fita80AK5271
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id185A
Drain Source On State Resistance1200µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
185A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
1200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para SIRA32DP-T1-RE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos