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SIR873DP-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.570 | $ 2.57 |
| Total Preço | $ 2.57 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.570 |
| 10+ | $ 2.460 |
| 25+ | $ 2.300 |
| 50+ | $ 2.100 |
| 100+ | $ 1.910 |
| 250+ | $ 1.700 |
| 500+ | $ 1.510 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR873DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rodo à Medida37AC0919RL
Segmento de fita37AC0919
Gama de produtosTrenchFET
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id37A
On Resistance Rds(on)0.0395ohm
Drain Source On State Resistance0.0475ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd104W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.0395ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.0475ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
104W
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para SIR873DP-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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