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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.430 | $ 1.43 |
| Total Preço | $ 1.43 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.430 |
| 10+ | $ 0.803 |
| 25+ | $ 0.736 |
| 50+ | $ 0.669 |
| 100+ | $ 0.602 |
| 250+ | $ 0.562 |
| 500+ | $ 0.521 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.370 |
| 5000+ | $ 0.362 |
| 10000+ | $ 0.334 |
| 20000+ | $ 0.311 |
| 30000+ | $ 0.290 |
| 50000+ | $ 0.278 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR836DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3808
Rodo à Medida57AJ0405RL
Segmento de fita57AJ0405
Gama de produtosTrench
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation15.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
Trench
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para SIR836DP-T1-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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