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SIR800ADP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 20V, 177A, POWERPAK SO-8S
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR800ADP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida80AK5274RL
Segmento de fita80AK5274
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.570 | $ 1.57 |
| Total Preço | $ 1.57 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.570 |
| 10+ | $ 1.020 |
| 25+ | $ 0.924 |
| 50+ | $ 0.833 |
| 100+ | $ 0.741 |
| 250+ | $ 0.678 |
| 500+ | $ 0.614 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR800ADP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida80AK5274RL
Segmento de fita80AK5274
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id177A
Drain Source On State Resistance1350µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
177A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
1350µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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