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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR681DP-T1-RE3
Código Newark
Rodo à Medida15AJ3208
Segmento de fita15AJ3208
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.280 | $ 5.28 |
| Total Preço | $ 5.28 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.280 |
| 10+ | $ 3.640 |
| 25+ | $ 3.330 |
| 50+ | $ 3.020 |
| 100+ | $ 2.710 |
| 250+ | $ 2.530 |
| 500+ | $ 2.340 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR681DP-T1-RE3
Código Newark
Rodo à Medida15AJ3208
Segmento de fita15AJ3208
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id71.9A
On Resistance Rds(on)0.0093ohm
Drain Source On State Resistance0.0112ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation Pd104W
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0093ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
104W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
71.9A
Drain Source On State Resistance
0.0112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
