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SIR680ADP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 80V, 125A, 150DEG C, 104W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR680ADP-T1-RE3
Código Newark42AH1976
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.350 |
| 10+ | $ 3.000 |
| 25+ | $ 2.740 |
| 50+ | $ 2.480 |
| 100+ | $ 2.230 |
| 250+ | $ 2.070 |
| 500+ | $ 1.910 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.35
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR680ADP-T1-RE3
Código Newark42AH1976
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id125A
Drain Source On State Resistance2880µohm
On Resistance Rds(on)0.00235ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd104W
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2880µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
125A
On Resistance Rds(on)
0.00235ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
104W
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos