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SIR582DP-T1-BE3
MOSFET, N-CH, 80V, 116A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR582DP-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK4716RL
Segmento de fita97AK4716
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.370 | $ 11.85 |
| Total Preço | $ 11.85 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.370 |
| 10+ | $ 1.790 |
| 25+ | $ 1.610 |
| 50+ | $ 1.420 |
| 100+ | $ 1.240 |
| 250+ | $ 1.100 |
| 500+ | $ 0.930 |
| 1000+ | $ 0.770 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR582DP-T1-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark
Rodo à Medida97AK4716RL
Segmento de fita97AK4716
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id116A
Drain Source On State Resistance3400µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation92.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
116A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
92.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidade do produto