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SIR5211DP-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 105A, POWERPAK SO-8S
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR5211DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79AK7538RL
Segmento de fita79AK7538
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.610 | $ 1.61 |
| Total Preço | $ 1.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.610 |
| 10+ | $ 1.020 |
| 25+ | $ 0.910 |
| 50+ | $ 0.797 |
| 100+ | $ 0.684 |
| 250+ | $ 0.612 |
| 500+ | $ 0.502 |
| 1000+ | $ 0.421 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR5211DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79AK7538RL
Segmento de fita79AK7538
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source On State Resistance3200µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
105A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
3200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto