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SIR4606DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 16A, POWERPAK SO-8S
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR4606DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida80AK5273RL
Segmento de fita80AK5273
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.330 | $ 2.33 |
| Total Preço | $ 2.33 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.330 |
| 10+ | $ 1.500 |
| 25+ | $ 1.340 |
| 50+ | $ 1.170 |
| 100+ | $ 1.000 |
| 250+ | $ 0.900 |
| 500+ | $ 0.795 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR4606DP-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida80AK5273RL
Segmento de fita80AK5273
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.0185ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation31.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0185ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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