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SIR4604LDP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 51A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR4604LDP-T1-GE3
Código Newark47AK1677
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.490 |
| 10+ | $ 1.670 |
| 25+ | $ 1.510 |
| 50+ | $ 1.360 |
| 100+ | $ 1.200 |
| 250+ | $ 1.100 |
| 500+ | $ 0.999 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.49
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIR4604LDP-T1-GE3
Código Newark47AK1677
Gama de produtosTrenchFET Gen IV Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id51A
On Resistance Rds(on)0.0074ohm
Drain Source On State Resistance8900µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation41.6W
Power Dissipation Pd41.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0074ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41.6W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
8900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
41.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos