Imprimir página
SIJH800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIJH800E-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0384RL
Segmento de fita57AJ0384
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
547 Em Estoque
12,000 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 8.010 | $ 8.01 |
| Total Preço | $ 8.01 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.010 |
| 50+ | $ 4.750 |
| 100+ | $ 4.440 |
| 250+ | $ 4.350 |
| 500+ | $ 4.250 |
| 1000+ | $ 4.090 |
| 2500+ | $ 4.010 |
| 5000+ | $ 3.930 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIJH800E-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ0384RL
Segmento de fita57AJ0384
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id299A
Drain Source On State Resistance1550µohm
On Resistance Rds(on)0.00122ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation333W
Power Dissipation Pd333W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1550µohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
299A
On Resistance Rds(on)
0.00122ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Alternativas para SIJH800E-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto