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SIJH5100E-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V/277A, POWERPAK 8 X 8L
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIJH5100E-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79AK7532RL
Segmento de fita79AK7532
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 8.380 | $ 8.38 |
| Total Preço | $ 8.38 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.380 |
| 50+ | $ 6.040 |
| 100+ | $ 4.720 |
| 250+ | $ 4.630 |
| 500+ | $ 4.540 |
| 1000+ | $ 4.370 |
| 2500+ | $ 4.280 |
| 5000+ | $ 4.200 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIJH5100E-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante55 semanas
Código Newark
Rodo à Medida79AK7532RL
Segmento de fita79AK7532
Gama de produtosTrenchFET Gen V Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id277A
Drain Source On State Resistance1890µohm
Transistor Case StylePowerPAK 8 x 8L
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation333W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
277A
Transistor Case Style
PowerPAK 8 x 8L
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1890µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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