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| 10+ | $ 1.770 |
| 25+ | $ 1.590 |
| 50+ | $ 1.390 |
| 100+ | $ 1.210 |
| 500+ | $ 1.020 |
| 1000+ | $ 0.902 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHU6N65E-GE3
Código Newark26AK5812
Gama de produtosE Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id7A
On Resistance Rds(on)0.5ohm
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation78W
Power Dissipation Pd78W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.5ohm
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos