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| 10+ | $ 7.840 |
| 25+ | $ 6.980 |
| 50+ | $ 6.560 |
| 100+ | $ 6.000 |
| 250+ | $ 5.770 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHP38N60E-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark11AN9233
Gama de produtosE Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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