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| 1+ | $ 3.480 |
| 10+ | $ 2.270 |
| 25+ | $ 2.030 |
| 50+ | $ 1.800 |
| 100+ | $ 1.570 |
| 500+ | $ 1.310 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHP12N65E-GE3
Código Newark26AK5805
Gama de produtosE Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.33ohm
Drain Source On State Resistance0.38ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.33ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos