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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.850 | $ 6.85 |
| Total Preço | $ 6.85 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.850 |
| 10+ | $ 6.290 |
| 25+ | $ 5.930 |
| 50+ | $ 5.560 |
| 100+ | $ 5.200 |
| 250+ | $ 4.960 |
| 500+ | $ 4.720 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 2.500 |
| 4000+ | $ 2.320 |
| 8000+ | $ 2.160 |
| 12000+ | $ 2.080 |
| 20000+ | $ 2.050 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHH11N65EF-T1-GE3
Código Newark
Rolo completo20AC3826
Rodo à Medida26AK5803
Segmento de fita26AK5803
Gama de produtosE Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11A
On Resistance Rds(on)0.332ohm
Drain Source On State Resistance0.382ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd130W
Power Dissipation130W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.332ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
130W
No. of Pins
5Pins
Product Range
E Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Drain Source On State Resistance
0.382ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Alternativas para SIHH11N65EF-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos

