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| 1+ | $ 15.120 |
| 10+ | $ 11.520 |
| 25+ | $ 10.880 |
| 50+ | $ 10.240 |
| 100+ | $ 9.600 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG80N60E-GE3
Código Newark75AH9195
Gama de produtosE
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd520W
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
520W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos