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| 50+ | $ 10.840 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG73N60E-GE3
Código Newark63W4113
Gama de produtosE
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id73A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
On Resistance Rds(on)0.032ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation520W
Power Dissipation Pd520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
- E Series Power MOSFET
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low input capacitance (Ciss
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
- Used in SMPS, PFC and lighting
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
73A
On Resistance Rds(on)
0.032ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
520W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos