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|---|---|
| 1+ | $ 7.880 |
| 10+ | $ 5.350 |
| 25+ | $ 5.300 |
| 50+ | $ 5.260 |
| 100+ | $ 5.220 |
| 500+ | $ 3.060 |
| 1000+ | $ 2.880 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG21N65EF-GE3
Código Newark26AK5794
Gama de produtosE Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation208W
Power Dissipation Pd208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto