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| 10+ | $ 2.820 |
| 25+ | $ 2.580 |
| 50+ | $ 2.330 |
| 100+ | $ 2.090 |
| 500+ | $ 1.880 |
| 1000+ | $ 1.770 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHG11N80AE-GE3
Código Newark81AH9256
Gama de produtosE
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.45ohm
On Resistance Rds(on)0.391ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation78W
Power Dissipation Pd78W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.391ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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