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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.350 | $ 3.35 |
| Total Preço | $ 3.35 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.350 |
| 10+ | $ 2.540 |
| 25+ | $ 2.400 |
| 50+ | $ 2.270 |
| 100+ | $ 2.130 |
| 250+ | $ 2.040 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.460 |
| 2000+ | $ 1.380 |
| 4000+ | $ 1.250 |
| 6000+ | $ 1.200 |
| 10000+ | $ 1.160 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHB15N50E-GE3
Código Newark
Rolo completo38Y8545
Rodo à Medida43Y2394
Segmento de fita43Y2394
Gama de produtosE
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id14.5A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
On Resistance Rds(on)0.243ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
14.5A
On Resistance Rds(on)
0.243ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para SIHB15N50E-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos

