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SIHB15N50E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.460 |
| 2000+ | $ 1.380 |
| 4000+ | $ 1.250 |
| 6000+ | $ 1.200 |
| 10000+ | $ 1.160 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 1,460.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHB15N50E-GE3
Código Newark38Y8545
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id14.5A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
On Resistance Rds(on)0.243ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd156W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
156W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14.5A
On Resistance Rds(on)
0.243ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (3)
Alternativas para SIHB15N50E-GE3
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto