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SIHB155N60EF-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-263
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHB155N60EF-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark85AK4792
Gama de produtosEF IV Gen Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.190 |
| 10+ | $ 4.060 |
| 25+ | $ 3.720 |
| 50+ | $ 3.370 |
| 100+ | $ 3.030 |
| 500+ | $ 2.530 |
| 1000+ | $ 2.210 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.19
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHB155N60EF-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark85AK4792
Gama de produtosEF IV Gen Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.159ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.159ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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