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| 1+ | $ 7.530 |
| 10+ | $ 5.040 |
| 25+ | $ 4.710 |
| 50+ | $ 4.390 |
| 100+ | $ 4.060 |
| 250+ | $ 3.830 |
| 500+ | $ 3.610 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIHB085N60EF-GE3
Código Newark65AK0116
Gama de produtosEF Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.084ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation184W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
184W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.084ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (07-Nov-2024)
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