Imprimir página
SIDR626LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR626LDP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida93AH0376
Segmento de fita93AH0376
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Seu número de peça
1,978 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.030 | $ 4.03 |
| Total Preço | $ 4.03 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.030 |
| 10+ | $ 3.830 |
| 25+ | $ 3.540 |
| 50+ | $ 3.200 |
| 100+ | $ 2.850 |
| 250+ | $ 2.490 |
| 500+ | $ 2.140 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIDR626LDP-T1-RE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida93AH0376
Segmento de fita93AH0376
Gama de produtosTrenchFET Gen IV
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id204A
Drain Source On State Resistance1500µohm
On Resistance Rds(on)0.0012ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1500µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
125W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
204A
On Resistance Rds(on)
0.0012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para SIDR626LDP-T1-RE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto