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SIA4265EDJ-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 9A, POWERPAK SC-70 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIA4265EDJ-T1-GE3
Código Newark26AK3550
Gama de produtosTrenchFET Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.793 |
| 10+ | $ 0.491 |
| 25+ | $ 0.433 |
| 50+ | $ 0.375 |
| 100+ | $ 0.316 |
| 250+ | $ 0.279 |
| 500+ | $ 0.241 |
| 1000+ | $ 0.216 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 3.97
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIA4265EDJ-T1-GE3
Código Newark26AK3550
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
On Resistance Rds(on)0.0265ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd15.6W
Power Dissipation15.6W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
15.6W
No. of Pins
7Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.0265ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos