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SI9407BDY-T1-E3
P-CH. S08 60V 0.120R
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI9407BDY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante64 semanas
Código Newark
Rolo completo26AM4643
Segmento de fita11AN9302
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.570 | $ 1.57 |
| Total Preço | $ 1.57 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.570 |
| 10+ | $ 1.490 |
| 25+ | $ 1.370 |
| 50+ | $ 1.250 |
| 100+ | $ 1.160 |
| 250+ | $ 0.996 |
| 500+ | $ 0.880 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.771 |
| 4000+ | $ 0.710 |
| 6000+ | $ 0.691 |
| 10000+ | $ 0.680 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI9407BDY-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante64 semanas
Código Newark
Rolo completo26AM4643
Segmento de fita11AN9302
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para SI9407BDY-T1-E3
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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