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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5935CDC-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3916
Rodo à Medida01AC5000RL
Segmento de fita01AC5000
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 37 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.935 | $ 4.68 |
| Total Preço | $ 4.68 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.935 |
| 50+ | $ 0.611 |
| 100+ | $ 0.424 |
| 250+ | $ 0.384 |
| 500+ | $ 0.344 |
| 1000+ | $ 0.318 |
| 2500+ | $ 0.297 |
| 5000+ | $ 0.275 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.212 |
| 5000+ | $ 0.207 |
| 10000+ | $ 0.191 |
| 20000+ | $ 0.178 |
| 30000+ | $ 0.166 |
| 50000+ | $ 0.159 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5935CDC-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3916
Rodo à Medida01AC5000RL
Segmento de fita01AC5000
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.083ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.083ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.083ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.083ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para SI5935CDC-T1-GE3
2 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
