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SI5513CDC-T1-GE3
MOSFET, DUAL, COMPLEMENT, 20V/4A/CHIPFET
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5513CDC-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3900
Rodo à Medida57AJ0451RL
Segmento de fita57AJ0451
Gama de produtosTrench Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.862 | $ 0.86 |
| Total Preço | $ 0.86 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.862 |
| 50+ | $ 0.539 |
| 100+ | $ 0.350 |
| 250+ | $ 0.310 |
| 500+ | $ 0.269 |
| 1000+ | $ 0.242 |
| 2500+ | $ 0.225 |
| 5000+ | $ 0.208 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.238 |
| 5000+ | $ 0.233 |
| 10000+ | $ 0.215 |
| 20000+ | $ 0.200 |
| 30000+ | $ 0.187 |
| 50000+ | $ 0.179 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI5513CDC-T1-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante39 semanas
Código Newark
Rolo completo86R3900
Rodo à Medida57AJ0451RL
Segmento de fita57AJ0451
Gama de produtosTrench Series
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id4A
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
Trench Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Alternativas para SI5513CDC-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto